静电场:库仑定律、高斯定理与电势
库仑定律
$F=kq_1q_2/r^2$
电场强度
$\vec E=\vec F/q_0$
高斯定理
$\oint E\cdot dA=Q/\varepsilon_0$
电势
$\varphi=-\int E\cdot dl$
开场场景:冬天脱毛衣劈里啪啦响、梳子吸纸屑——这就是静电。静电场的两个核心工具:电场强度 $ec E$ 描述力,电势 $arphi$ 描述能。
义是什么:用场描述电荷间作用
电场 $ec E$:单位正试探电荷在该点受的力:$ec E=ec F/q_0$。点电荷 $q$ 产生 $ec E=\dfrac{1}{4\piarepsilon_0}\dfrac{q}{r^2}\hat r$。
高斯定理:穿过任意闭合曲面的电通量只和面内总电荷有关:$$\oint_S \vec E\cdot d\vec A=\frac{Q_{\text{内}}}{\varepsilon_0}.$$球对称、柱对称、面对称时用它秒杀。
电势 $arphi$:把单位正电荷从该点移到无穷远电场做的功。电场是电势的负梯度:$ec E=- ablaarphi$。电势是标量,叠加比矢量叠加简单。
路怎么想到的:对称先用高斯定理
解题顺序:①看对称性(球/柱/面)→ ②能用高斯定理就用它直接求 $ec E$ → ③再积分求 $arphi$。
导体静电平衡:内部 $ec E=0$,电荷全在表面,表面场强垂直于表面。
例题:三道典型题
用途与案例
电子设备:电容器
两平行板间匀强电场储存电荷和电能,是所有电路的基本元件。
高压线屏蔽
高压设备接地金属壳,壳内电场为零——法拉第笼原理。
展往哪儿长
高中:库仑定律、点电荷场强定性。大学:高斯定理、电势梯度、电介质($ec D=arepsilon_0ec E+ec P$)。前沿:量子电动力学(QED)把电磁场量子化。
电势能:$U=qarphi$,和重力势能 $mgh$ 类似;电场力做功 $W=-\Delta U$。
高斯定理面要选对称面:随便取个曲面没法把 $E$ 提出积分号。场强和电势无必然联系:$E=0$ 处 $arphi$ 不一定为零(导体内部);$arphi=0$ 处 $E$ 不一定为零。电势差与路径无关:静电场是保守场。
练习
基础:两个 $+1\ \mu C$ 点电荷相距 2 m,中点场强?
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两场强等大反向,$E=0$;中点电势 $\varphi=2\cdot kq/r=2\cdot9\times10^9\cdot10^{-6}/1=1.8\times10^4$ V。错了或卡壳?回到本章对应段落,把例题再顺一遍。
进阶:匀强电场 $E=100$ V/m,沿场方向移动 $d=0.05$ m,电势差?
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$\Delta\varphi=Ed=100\cdot0.05=\mathbf{5\ V}$。错了或卡壳?回到本章对应段落,把例题再顺一遍。
思考:为什么导体内场强为零?
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导体自由电荷在外场下重新分布,感应电荷产生的场恰好抵消外场,直到内部 $E=0$。错了或卡壳?回到本章对应段落,把例题再顺一遍。
证教材级补充
无限长均匀带电直线(线密度 $\lambda$):取半径 $r$、高 $h$ 的圆柱高斯面。侧面 $E\cdot dA=E\cdot 2\pi r h$,上下底面通量为零。由高斯定理 $E\cdot 2\pi r h=\lambda h/\varepsilon_0$,得 $E=\lambda/(2\piarepsilon_0 r)$。
例:电偶极子场强
$ec p=qec d$,在中垂面上 $E=p/(4\piarepsilon_0 r^3)$,方向与 $ec p$ 相反。错了或卡壳?回到本章对应段落,把例题再顺一遍。
电场线性质
电场线不相交、不闭合(静电场);疏密表大小,切线表方向。错了或卡壳?回到本章对应段落,把例题再顺一遍。
① $ec E$ 是矢量场,$arphi$ 是标量场,$ec E=- ablaarphi$。
② 高斯定理 $\oint E\cdot dA=Q_{\text{内}}/arepsilon_0$,对称问题秒杀。
③ 导体静电平衡内部 $E=0$,电荷在表面。
- 用自己的话讲:本章核心是「静电场:库仑定律、高斯定理与电势」,合上书用自己的话讲一遍,不许照抄。
- 举个反例 / 什么时候最容易错:"为什么电场线必须垂直于导体表面?因为如果不垂直,表面电荷会沿表面受力移动,直到平衡为止。"
- 哪里还卡壳(标记你的薄弱点):哪一句你要翻书才说得顺?那个地方就是你的薄弱点,拿笔圈出来。